碳化硅二极管作为第三代半导体功率器件，在大功率开关电源的PFC级得到了大规模的应用。碳化硅二极管与氮化镓MOS在快充电路中配套使用，可以将PFC升压的开关频率从不到100KHz提升到300KHz，由此减小升压电感的体积，得以实现高功率密度的设计，效率也得到了大幅度的提升，赋能大功率快充电源产品的核心竞争力。因此，碳化硅二极管在消费类电源领域的关注度越来越高。

森国科针对大功率快充推出了两款碳化硅二极管，赋能高功率密度快充产品。该两款产品型号为：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4种封装， KS10065提供TO-252-2、PDFN5*6、PDFN8*8 共三种封装。每一款产品都可以达到-55℃~+175℃，650V/6A的冲击电流可以达到65A, 典型压降Vf=1.38V， 漏电流低至1nA。650V/10A 的冲击电流可以达到85A，典型压降Vf=1.29V。两款产品提供丰富的封装形式，便于合作伙伴根据快充的体积要求、功率密度要求、散热要求灵活选用。

森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。