9月25日，由深圳市汽车电子行业协会主办的“2021中国（深圳）国际汽车电子产业年会”在深圳隆重举行，会上揭晓了2020年度汽车电子科学技术奖项，深圳市森国科科技股份有限公司推出的“漏电流低于1nA的碳化硅二极管”荣获突出创新产品奖。

“中国汽车电子科学技术奖”由深圳市汽车电子行业协会设立，是汽车电子领域最具影响力的奖项之一，旨在奖励在汽车电子领域的科学研究、技术创新、科技成果推广应用、高新技术产业化以及重大工程建设等方面作出突出贡献的单位、个人及优秀的单个产品。该奖项对汽车电子领域科技的成果认定、成果孵化，激励广大科技人员的创新积极性起到了很好的推动作用。

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，在电力电子功率器件领域应用方兴未艾，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。当前碳化硅材料已经广泛应用于新能源发电（逆变器）、新能源汽车（OBC充电、电驱、储能）、工业电源、轨道交通、充电桩、充电器、家用电器等领域。

森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。