首页
产品
碳化硅功率器件 >
碳化硅MOSFET
碳化硅二极管
应用
新能源汽车 >
车载充电机（OBC）
DC/DC
充电桩
电机驱动
工业场景 >
HVDC模块
服务器电源
通讯电源
不间断电源（UPS）
再生能源 >
光伏逆变
储能系统
消费场景 >
家电变频
LED电源
快充
工具与支持
电源产品 >
知识中心
电源视频
关于我们
关于 >
走进森国科
质量
可持续性 >
环境
社会责任感
经济的
新闻与事件 >
最新动态
行业新闻
职业生涯
联系我们
首页
产品
碳化硅功率器件
碳化硅MOSFET
碳化硅二极管
应用
新能源汽车
车载充电机（OBC）
DC/DC
充电桩
电机驱动
工业场景
HVDC模块
服务器电源
通讯电源
不间断电源（UPS）
再生能源
光伏逆变
储能系统
消费场景
家电变频
LED电源
快充
工具与支持
电源产品
知识中心
电源视频
关于我们
关于
走进森国科
质量
地点
可持续性
环境
社会责任感
经济的
新闻与事件
最新动态
行业新闻
职业生涯
联系我们
碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较
SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压，要想提高Si-SBD的耐压，需要增加Si-SBD漂移区厚度，减小掺杂浓度，但这会带来阻值上升，VF升高导致损耗大幅增加不适合实际应用，因此Si-SBD一般是偏低压的规格，而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强，保持了实际应用特性和可耐高压的特性。
知识中心
产品类别
查看全部
碳化硅MOSFET
碳化硅二极管
应用
查看全部（3）
车载充电机（OBC）（0）
家电变频（0）
LED电源（0）
快充（0）
HVDC模块（0）
服务器电源（0）
通讯电源（0）
DC/DC（0）
充电桩（0）
光伏逆变（0）
储能系统（0）
服务器电源（0）
不间断电源（UPS）（0）
电机驱动（0）
