碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列适用于工业领域，如工业电源，充电桩电源模组和不间断电源（UPS）。

相比于硅材料，碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍；单位面积阻隔电压的能力（击穿场强）约是硅的7倍；热导率方面是硅的3倍之多（功率器件运行时不可避免地有损耗，产生热量，能够做到把较多的热量导出来，代表了功率处理的能力比较强）；电子漂移速度是硅的2倍左右；因碳化硅材料卓越的物理特性，碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能，使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。 森国科碳化硅二极管根据不同的应用需求完成了多种形式的封装，从SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220封装，也可以与传统Si器件直接做替换，为工程师们提供了极大的灵活性。